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富士電機株式會社（代表取締役社長：北澤通宏；總公司：東京都品川區(qū)）現(xiàn)發(fā)售功率半導體產(chǎn)品“X系列IGBT-IPM※1”，此款產(chǎn)品搭載最新第7代“X系列”芯片，損耗大幅降低，特發(fā)此通知。

※1：Insulated Gate Bipolar Transistor（IGBT）Intelligent Power Module(IPM）

1．背景

    制造業(yè)企業(yè)不斷引進有助于實現(xiàn)生產(chǎn)現(xiàn)場自動化的數(shù)控機床和機器人來提高生產(chǎn)力，在全球變暖的背景下，如何使生產(chǎn)設備更加節(jié)能已經(jīng)成為制造業(yè)企業(yè)面臨的課題。

    作為一款功率半導體產(chǎn)品，IGBT模塊是一種通過開關（斷電和通電）改變電壓和頻率并對交流電、直流電等進行電力轉換的電子零部件。IGBT-IPM是一種具有自我保護功能的IGBT模塊，能夠防止因過電流、過熱等引起的故障，因此在需要高度可靠性的數(shù)控機床和工業(yè)機器人等設備中得到了廣泛應用。

    本公司此次發(fā)售了搭載最新第7代“X系列”芯片的“X系列IGBT-IPM”，并將憑借行業(yè)頂級的低損耗性能助力生產(chǎn)設備節(jié)能。新產(chǎn)品將于12月投入量產(chǎn)，將以自動化發(fā)達的日本國內(nèi)和中國為中心向全球市場推廣。

2．產(chǎn)品特點

①憑借低損耗性能實現(xiàn)生產(chǎn)設備節(jié)能

    本產(chǎn)品搭載了最新的第7代IGBT芯片，該芯片相對第6代IGBT芯片進行了厚度減薄和表面結構微化等改進，擁有較高的低損耗性能。此外，常規(guī)功率半導體的開關速度會隨著工作溫度升高而變慢，從而使得損耗增大。但新產(chǎn)品通過控制驅動IGBT的IC，能夠在高溫條件下保持開關速度，從而降低了損耗。

    與老款產(chǎn)品（V系列IGBT-IPM）相比，本產(chǎn)品在變頻器工作時的損耗降低了約10％，此外，通過抑制損耗引起的發(fā)熱，能使得設置面積相對老款產(chǎn)品實現(xiàn)最大54％的小型化，從而有助于生產(chǎn)設備的節(jié)能和小型化。

②領先行業(yè)搭載溫度警示輸出功能，有助于設備穩(wěn)定運行

    IGBT-IPM搭載了IGBT芯片過熱保護功能。本產(chǎn)品在IGBT芯片溫度超過175℃時，IGBT-IPM就會向設備的控制裝置（控制器等）發(fā)出報警信號，與此同時，停止開關動作，從而將IGBT-IPM的故障防范于未然。

    此外，本產(chǎn)品還領先行業(yè)搭載了“溫度警示輸出功能”，一旦IGBT芯片溫度超過150℃就會發(fā)出報警信號。從IGBT芯片發(fā)出報警信號到觸發(fā)過熱保護的175℃期間，開關動作可以持續(xù)，因此操作人員能夠通過設備的控制裝置在任意時點關停生產(chǎn)設備進行維修。這樣可避免生產(chǎn)設備突然停機，有助于設備的穩(wěn)定運行。

3．主要用途

    數(shù)控機床、通用伺服器、工業(yè)機器人、商用空調、電梯等

4．主要規(guī)格